厚膜膜层整平起泡问题定位与消除
刘俊夫 （ 中国电子科技集团公司第43研究所 ）
范 英 （ 中国电子科技集团公司第43研究所 ）
聂强强 （ 中国电子科技集团公司第43研究所 ）
卫 敏 （ 中国电子科技集团公司第43研究所 ）
https://doi.org/10.37155/2972-4333-0209-5Abstract
随当前厚膜混合集成电路集成度及多层布线层数的逐渐增加，厚膜膜层的平整度对器件组装以及使用可 靠性影响也愈发明显。本文对厚膜导体膜层的整平工艺中出现的起泡问题展开显微组织分析，定位起泡问题并针对性 提出解决措施，结果表明：厚膜导体整平后的表面磨痕是其再印介质出现起泡现象的关键所在，且磨轮目数越低，导 体表面越粗糙，起泡现象越严重。对介质整平印烧介质、稀释介质浆料以及返烧整平后导体等手段可有效解决起泡问 题，但仍需进一步评估厚膜基板的可靠性。
Keywords
厚膜混合集成电路；平整度；厚膜导体；厚膜介质；起泡Full Text
PDFReferences
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Copyright © 2024 刘俊夫,范 英,聂强强,卫 敏
Publishing time:2024-09-30
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