双氧水在半导体清洗工艺中的纯度控制与杂质影响研究
邱 韬 （ 无锡熙宇化工科技有限公司 ）
https://doi.org/10.37155/2972-4333-0403-33Abstract
双氧水（H₂O₂）作为半导体湿法清洗工艺中的核心化学品之一，广泛应用于RCA标准清洗、SC-1 （NH₄OH/H₂O₂/H₂O）、SC-2（HCl/H₂O₂/H₂O）等关键清洗步骤中，主要用于去除有机污染物、金属离子及颗粒物。 然而，双氧水中痕量杂质的存在可能对晶圆表面造成不可逆污染，诱发缺陷、降低器件良率，甚至导致电路失效。 本文系统综述了双氧水在半导体清洗中的作用机理，重点分析了金属离子（如Fe、Cu、Na、K、Al）、阴离子（如 Cl⁻、SO₄²⁻、NO₃⁻）、颗粒物及有机杂质等对清洗效果和器件性能的影响路径；深入探讨了高纯双氧水的制备技术、 纯化方法及杂质检测手段；并结合当前先进制程需求，提出了未来双氧水纯度控制的发展方向与挑战。
Keywords
双氧水；半导体清洗；高纯化学品；金属杂质；颗粒污染；RCA清洗；纯度控制Full Text
PDFReferences
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Copyright © 2026 邱 韬
Publishing time:2026-03-31
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