纳米银浆在芯片粘接中的可靠性与失效模式分析
刘道林 （ 中国电子科技集团公司第二十九研究所 ）
https://doi.org/10.37155/2717-5170-0801-63Abstract
随着半导体器件向高功率、小型化方向发展，传统粘接材料已难以满足高温、高可靠性需求。纳米银浆 凭借优异导热导电性与高温稳定性，成为芯片粘接的理想材料，但粘接层剥离和开裂等可靠性问题制约着其产业化应 用。本文系统分析纳米银浆材料特性以及粘接工艺参数对其可靠性的影响，并系统性阐述了环境适应性测试、加速度 实验和寿命试验等可靠性评价方法，深入剖析粘接层典型失效模式及内在机理，最终从材料、工艺、设计三方面提出 优化策略。本研究表明银颗粒分散性与烧结活性、固化温度与界面预处理、服役环境的温湿度循环等因素共同影响粘 接层可靠性。界面剥离和银层开裂是主要失效模式，热应力累积与微观缺陷扩展是关键机理。通过材料改性、工艺优 化和结构设计，粘接可靠性显著提升，高低温循环寿命超1500次，粘接强度合格率超85%。，为提升芯片粘接质量提 供理论支撑，推动纳米银浆在半导体封装领域的稳定应用。
Keywords
纳米银浆；芯片粘接；失效模式Full Text
PDFReferences
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Copyright © 2026 刘道林
Publishing time:2026-01-31
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