半导体级高纯氨水中痕量杂质元素的检测
张晓蝶 （ 多氟多新材料股份有限公司 ）
杨玉才 （ 多氟多新材料股份有限公司 ）
王静静 （ 多氟多新材料股份有限公司 ）
https://doi.org/10.37155/2717-5316-0717-20Abstract
针对半导体SEMI G5级高纯氨水≤10 ppt金属杂质管控需求，建立氦气动能歧视碰撞池四极杆电感耦合 等离子体质谱（ICP-MS）检测方法。根据氨水浓度差异化前处理，采用四点标准加入法抵消强碱性基体效应，优化 等离子体与碰撞池参数消除多原子质谱干扰。方法学验证表明，目标金属杂质检出限0.12～2.5 ppt，日内、日间精密 度与加标回收率均符合SEMI行业标准。该方法无需高分辨质谱，依托常规ICP-MS设备即可完成多元素同步检测，配 套完整质控流程，适用于高纯氨水原料、中控、成品出厂工业化质量管控，为湿电子化学品超痕量金属检测提供标准 化方案。
Keywords
半导体级高纯氨水；痕量金属离子；ICP-MS；基体效应；标准加入法Full Text
PDFReferences
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Copyright © 2026 张晓蝶,杨玉才,王静静
Publishing time:2026-09-01
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