PVT法生长碳化硅晶体的影响因素简析
籍有富 （ 哈尔滨工业大学 ）
陈彦宇 （ 哈尔滨工业大学 ）
刘博谦 （ 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 ）
张俊杰 （ 哈尔滨工业大学 ）
李 彬 （ 哈尔滨工业大学 ）
张胜涛* （ 哈尔滨工业大学 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 ）
https://doi.org/10.37155/2811-0609-0413-9Abstract
本文中介绍了目前在物理气相输运法（Physical Vapor transport method，PVT）常使用的坩埚、原料的性 质与对碳化硅晶体生长的影响。为了更好的理解，同时也简述了PVT法生长碳化硅晶体过程中的气相物质输运的机理 和碳硅比的相关概念。
Keywords
碳化硅；影响因素；物理气相输运法Full Text
PDFReferences
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Copyright © 2025 籍有富,陈彦宇,刘博谦,张俊杰,李 彬,张胜涛*
Publishing time:2025-07-01
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