PVT法生长碳化硅晶体的影响因素简析

籍有富 ( 哈尔滨工业大学 )

陈彦宇 ( 哈尔滨工业大学 )

刘博谦 ( 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 )

张俊杰 ( 哈尔滨工业大学 )

李 彬 ( 哈尔滨工业大学 )

张胜涛* ( 哈尔滨工业大学 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 )

https://doi.org/10.37155/2811-0609-0413-9

Abstract

本文中介绍了目前在物理气相输运法(Physical Vapor transport method,PVT)常使用的坩埚、原料的性 质与对碳化硅晶体生长的影响。为了更好的理解,同时也简述了PVT法生长碳化硅晶体过程中的气相物质输运的机理 和碳硅比的相关概念。

Keywords

碳化硅;影响因素;物理气相输运法

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References

[1]Wellmann P J. Review of SiC crystal growth
technology[J]. Semiconductor Science and Technology, 2018,
33(10): 103001.
[2]张浩.物理气相传输法制备碳化硅晶体的工艺研究
[D].哈尔滨工业大学,2017.
[3]Wellmann P J, Bickermann M, Hofmann D, et al.
In situ visualization and analysis of silicon carbide physical
vapor transport growth using digital X-ray imaging[J]. Journal
of crystal growth, 2000, 216(1-4): 263-272.
[4]Wellmann P J, Hofmann D, Kadinski L, et al. Impact
of source material on silicon carbide vapor transport growth
process[J]. Journal of crystal growth, 2001, 225(2-4): 312-
316.
[5]刘军林,高积强,程基宽,等.坩埚石墨化度对SiC单晶
生长过程的影响[J].稀有金属材料与工程,2005,34(12):1944-
1947.
[6]Nakamura D, Suzumura A, Shigetoh K. Sintered
tantalum carbide coatings on graphite substrates: Highly
reliable protective coatings for bulk and epitaxial growth[J].
Applied Physics Letters, 2015, 106(8).
[7]TAIROV Y M. Growth of bulk SiC [J]. Mater Sci Eng
B-Solid State Mater Adv Technol, 1995, 29: 83-9.
[8]Shi Y, Dai P, Yang J, et al. Effects of Grain Size of
Source Material on Growing 6H-SiC Bulk Crystal by Physical
Vapor Transport[J]. Materials and Manufacturing Processes,
2012, 27(1): 84-87.
[9]陈之战,施尔畏,肖兵,等.原料对碳化硅单晶生长的
影响[J].无机材料学报,2003,18(4):737-743.

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