碳化硅衬底加工过程中的若干问题研究
籍有富 （ 哈尔滨工业大学 ）
张胜涛 （ 哈尔滨工业大学 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 ）
刘博谦 （ 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 ）
赵天宇 （ 哈尔滨工业大学 ）
张俊杰 （ 哈尔滨工业大学 ）
李 彬 （ 哈尔滨工业大学 ）
https://doi.org/10.37155/2811-0609-0415-3Abstract
随着新能源汽车、5G通信等行业的迅猛发展，碳化硅（SiC）衬底作为高性能半导体功率器件的关键基 础材料备受瞩目。本文聚焦SiC衬底加工过程，深入剖析其切割、研磨、抛光等工序存在的问题。在SiC晶体切割过程 中，因SiC硬度极高，导致传统切割效率低、刀具磨损快，而线切割虽精度较高但受切削深度、速度等因素影响；研 磨和抛光中，机械磨抛虽适用广但有损伤风险，化学反应磨抛溶液具选择性，特种能量辅助机械磨抛可兼顾效率与质 量但技术复杂。同时，表面损伤（SDs）和亚表面损伤（SSDs）对器件性能影响重大，而化学机械抛光（CMP）在去 除4H-SiC晶圆衬底SSDs方面应用突出。本文旨在为SiC衬底加工技术的改进与创新提供全面的理论分析与实践参考， 助力提升半导体功率器件制造水平。
Keywords
碳化硅；衬底加工；切割；研磨；抛光Full Text
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Copyright © 2025 籍有富,张胜涛,刘博谦,赵天宇,张俊杰,李 彬
Publishing time:2025-08-01
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