软关断技术在IGBT短路保护中的实现与应用
余 情 （ 中车株洲电力机车研究所有限公司 ）
黄启钊 （ 中车株洲电力机车研究所有限公司 ）
https://doi.org/10.37155/2717-5197-0610-74Abstract
大功率IGBT短路时，流过的短路电流可达其额定电流的4-10倍，如果不采取有效的保护措施，IGBT会产 生闩锁失效或者直接炸裂失效，因此现使用的大功率IGBT驱动器中都集成短路保护功能，能够确保在IGBT发生退饱和后 10us内将其关断；但在关断瞬间，会形成极大的di/dt，由此而产生的关断过电压有时足以击穿IGBT。抑制关断过电压，除 降低回路中的寄生电感外，降低di/dt是最直接有效的实现手段；本文介绍了一种软关断技术，可以通过降低IGBT的关断 速度来降低di/dt，从而达到抑制关断过电压的目的，并且以某风电变流器用单相功率组件搭建短路实验平台，进行了软关 断和硬关断的对比实验，实验结果表明软关断较硬关断的关断过电压降低了128V，同时短路损耗也降低了32%。
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软关断；IGBT短路保护；关断过电压Full Text
PDFReferences
[1] Yanick Lobsiger and Johann W Kolar. Closed-Loop
di/dt and dv/dt IGBT Gate Driver[J]. IEEE Trans. on Power
Electronics,2015,30(6):3402-3417.
[2] B Wittig and F W Fuchs. Analysis and comparison
of turn-off active gate control methods for low-voltage power
MOSFETs with high current ratings[J]. IEEE Trans. Power
Electron, 2012,27(3):1632–1640.
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Copyright © 2024 余 情,黄启钊
Publishing time:2024-05-31
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