多级协同保护门结构设计与动态响应优化—— 基于SiC MOSFET与TVS的二级/三级协同关断机制
游远科 （ 杭州骏跃科技有限公司 ）
https://doi.org/10.37155/2717-5197-0716-55Abstract
随着电力系统对稳定性和可靠性要求的不断提高，设计高效的过压过流保护机制至关重要。本文聚焦基 于SiC MOSFET与TVS的二级/三级协同关断机制，展开多级协同保护门结构设计与动态响应优化研究。首先深入分析 SiC MOSFET与TVS的特性，为协同工作奠定理论基础。继而分别设计二级和三级协同关断机制，涵盖结构搭建、逻 辑策略制定与性能优化。同时，从控制算法、硬件电路以及应对环境因素等多方面研究动态响应优化策略。研究成果 有望显著提升电力系统保护性能，增强系统稳定性，在电力电子设备、新能源系统等领域展现出广阔的应用前景。
Keywords
SiC MOSFET；TVS；多级协同关断；动态响应优化；保护门结构Full Text
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Copyright © 2025 游远科
Publishing time:2025-08-31
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